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碳化硅成型弯头
碳化硅是Si和C二元系统中唯一的二元化合物。其原子比是1:1。下面主要讲解下碳化硅的特性。
1 稳定性较好。
在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蚀。SiC同硅酸在高温下也不发生反应，故具有抵抗酸性熔渣的良好性能。SiC同石灰在525度开始反应，在1000度附近反应显著，与氧化铜的反应在800度已强烈进行。。同氧化铁在1000-1200度，进行反应，到1300度已明显崩裂反应。同氧化锰反应从1360度起到崩裂反应。SiC在氯气中，从600度开始与之反应，到1200度可使其分解为SiCl4和CCl4。熔融碱在炽热下可使SiC分解。
2 抗氧化性较好
碳化硅在常温下，抗氧化性很好，在合成SiC时残留的Si、C及氧化铁对SiC的氧化程度有影响。在普通氧化气氛下纯SiC可在高达1500度的温度下安全使用，而含有部分杂质的碳化硅，在1220度会发生氧化。
3 抗热震性较好。
由于碳化硅不熔化和分解出蒸气的温度很高，并具有很高的导热性和低的热膨胀性，从而具有好的抗热震性。
碳化硅耐磨弯头
一、无压烧结。无压烧结目前已成为制作碳化硅陶瓷的主要方法，这种烧结方法是在温度比较地的情况下进行的，其微观结构因此而得到了很明显的细化，因此这种方法制作出来的碳化硅陶瓷强度和韧度有了很大的改善。
二、热压烧结。采用热压烧结的制作方法，可以获得致密的碳化硅陶瓷，并且碳化硅陶瓷的显微结构和力学性能、热血性能在烧结的过程中添加一些添加剂之后，会有很大的不同，比如加入一些化学元素B后，碳化硅陶瓷晶粒的尺寸明显减小，但是其强度却因此得到了很大的提高。
三、热等静压烧结。这种方法能够实现无添加剂的碳化硅陶瓷的致密烧结，实验表明，在1850度的时候，就可以获得高密度的无添加剂的碳化硅陶瓷。
四、反应烧结。这种烧结方法首先在美国研制成功的，采用这种方法烧结碳化硅陶瓷也比较多，因为它能够少接触无孔且致密的反应烧结体。
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