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MITSUBISHI QJ61BT11N主单元磁传感技术有更大发展空间
磁阻传感器的基本原理是由于磁场变化引起磁阻的阻值变化，进而引起电压变化来检测磁场变化，具有可靠、耐用等很多特点。磁阻传感器的发展趋势一方面是精度更高，另一方面是集成度更高。磁阻以前被作为单独的器件来使用，现在却向集成的方向走。
TMR元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，MITSUBISHI QJ61BT11N主单元其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。作为GMR元件的下一代技术，TMR（MTJ）元件已完全取代GMR元件，被广泛应用于硬盘磁头领域。相信TMR磁传感技术将在工业、生物传感、磁性随机存储等领域有极大的发展与贡献。
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MITSUBISHI QJ61BT11N CC-LINK MASTER UNIT 5VDC, 0.46A
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