详细介绍:
扩散炉应用行业
扩散炉应用:应用于集成电路、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池、半导体器件的扩散、氧化退火、烧结等工艺,也可做为磁性材料的烧结工艺,还可适用于机械行业的淬火、冶金业稀土的烧结工艺。
扩散炉特点:
1主机为水平一至四管炉系统构架,独立完成不同的工艺或相同工艺
2工业计算机控制系统,对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制
3采用悬臂送片器:操作方便、无摩擦污染等
4关键部件均采用进口,确保设备的高可靠性
5工艺管路采用进口阀门管件组成气密性好、耐腐蚀、无污染(管路均采用EP级电抛光管路),流量控制采用质量流量计(MFC)进口
6控温精度高,温区控温稳定性好;
7具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能
扩散炉主要技术指标
1、工艺说明
1.1氧化:干氧工艺,湿氧工艺(去离子水、氢氧合成-内/外点火)
1.2扩散:硼扩、磷扩(液态源、固态源等)
1.3合金、退火等工艺
2、系统组成:主机(加热体、石英/SiC管、功率组件等)、自动送片(悬臂-SiC)净化工作台、气路气源系统(气源柜)、计算机控系统等组成
3、控制方式:手动送片/自动送片
4、扩散炉配置(可选):
4.1仪表控制/计算机控制
4.2工艺管(水平结构):1-4管
4.3工艺规格:2~6英寸晶圆或125mm×125mm、156mm×156mm太阳能电池片(工艺腔体为石英或碳化硅)
4.4恒温区长度:1100mm/800mm/600mm/450mm
4.5晶圆装载:悬臂式,刚玉/碳化硅杆,碳化硅桨
4.6工作台:有净化/无净化
4.7工艺气路:对应的工艺气路,气路阀门组件采用国际优质品牌产品(如SWAGELOK、PARK、SANDVIK、CARDINAL等等),MFC国际优质(如MKS、UNIT、STEC等)或国产优质
5、扩散炉主要技术参数:
5.1工作温度:200〜1300℃
5.2加热体控制点:3/5点
5.3炉体恒温区:450mm/600mm/800mm/1100mm
5.4恒温区精度:>800℃/±0.5℃,<800℃/±1℃
5.5单点温度稳定性:600〜1300℃/±0.5℃/24h
5.6最大可控升温速度:25℃/min
5.7最大降温速度:5℃/min(900〜1300℃)
5.8供电:三相四线,380VAC/50Hz
6、结构尺寸:
6.1结构:水平扩散炉/垂直扩散炉
扩散炉选型
1按结构可分为立式和卧式两种。
2推拉舟有斜滚.双杆.悬臂三种形式。
3工作台有简易操作台(无净化、净化);标准操作台(无净化、净化)。
4按管路的组成及连接形式可从以下两方面来区分:
1.按流量控制器区分:可分为浮子流量计和质量流量控制器。
2.按阀门及连接方式区分:可分为进口电磁阀卡套连接.进口气动阀卡套连接.进口气动阀VCR连接三种形式。
5按工艺类型区分:可分为干氧氧化.湿氧氧化(普通湿氧化和氢氧合成氧化). 磷扩散.硼扩散和退火(合金)等多种。
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