注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点：
1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;
2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
新闻:葫芦岛F4-25R12NS4IGBT模块
“十二五”新材料发展亮点纷呈2010年，国务院做出了加快培育和发展战略性新兴产业的决定，确定了包括新材料在内的7大战略性新兴产业。这是我国首次将新材料做为一个独立的产业，从国家战略角度进行重点扶持。“十二五”以来，我国新材料产业发展迅速，技术水平不断提高，有力支撑了国民经济发展和国防科技工业建设。工信部数据显示，新材料产业规模由2011年的8000亿元增长至2015年的近20000亿元，产业规模翻番，年均增速超过24%。

在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作 。

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二是研发智能制造相关的核心工业软件，突破建模与仿真、管理与控制等瓶颈，布局和积累一批核心知识产权，为实现制造装备和制造过程的智能化提供软件支撑。三是研究建立包括智能制造、机器人、集成电路、增材制造等在内的若干制造业创新中心，建立市场化的创新方向选择机制，鼓励创新的风险分担、利益共享机制，解决技术研究与产业化应用的“死亡谷”问题。四是围绕重点领域智能制造发展需求，加快建设研究院、研究中心、重点实验、工程中心和工程技术中心等重大科学研究和实验设施，鼓励企业加大研发投入力度，加强智能制造关键技术与装备创新。

1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。
6. 检测IGBT模块的的办法。

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铜价的反弹，主要是受其他金属价格上涨的影响，自身上涨动力明显不足，且存在一定下跌空间。铝：2016年，全球铝生产、消费均出现稳定增长。目前世界原铝月产量稳定在480万吨以上，预计全年产量接近5800万吨，在铝价回升的作用下，中国新建以及重启产能开始放量，由于供应明显增加，过剩的阴影开始笼罩市场，导致铝价冲高回落。铅：2016年，世界精炼铅月产量约为90万吨，预计全年产量在1080万吨左右，锌：2016年，全球矿山锌月产量在110万吨左右，锌锭月产量在120万吨上下。