IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
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至此，首批10张新能源汽车生产牌照全部落地。此外，工信部、财政部、科技部、发改委四部委发布《关于调整新能源汽车推广应用财政补贴政策的通知》。根据新政，新能源汽车补贴额度比2016年降低20%，地方财政补贴不得超过中央单车补贴额的50%。牌照难拿，生产端门槛提高在国能新能源和云度新能源拿到牌照前，8家企业已经拿到了牌照，分别是北汽新能源、长江汽车、长城华冠、奇瑞新能源、敏安汽车、万向集团、江铃新能源、重庆金康。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。

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他介绍，中国科学家拟选择三颗很特别的近地小行星作为探测目标，目前设想对阿波菲斯小行星进行伴飞探测，对1996FG3小行星进行伴飞并附着探测，另外根据探测器的发射窗口选择一颗近地小行星开展飞越探测。整个探测任务约持续6年。预警：应对来自太空的潜在威胁阿波菲斯小行星于2004年被发现，其最大直径约394米，宽度超过两个足球场。专家测算，阿波菲斯将于2029年4月13日和地球“擦肩而过”，距离地球表面3万多千米，比月球距地球近得多，届时将裸眼可见。

测量
静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障.　动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400欧,把表笔对调也有大约300-400欧的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。　将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻 断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。　注意：若进第二次测量时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。　任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。

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铜价的反弹，主要是受其他金属价格上涨的影响，自身上涨动力明显不足，且存在一定下跌空间。铝：2016年，全球铝生产、消费均出现稳定增长。目前世界原铝月产量稳定在480万吨以上，预计全年产量接近5800万吨，在铝价回升的作用下，中国新建以及重启产能开始放量，由于供应明显增加，过剩的阴影开始笼罩市场，导致铝价冲高回落。铅：2016年，世界精炼铅月产量约为90万吨，预计全年产量在1080万吨左右，锌：2016年，全球矿山锌月产量在110万吨左右，锌锭月产量在120万吨上下。